高溫四探針測(cè)試儀測(cè)試電阻率的原理和方法

高溫四探針測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

高溫四探針測(cè)試儀的測(cè)量原理

1. 測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)ā㈦娙?/span>-電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測(cè)試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測(cè)組合四探針?lè)ā?/span>
2. 經(jīng)典的直排四探針?lè)y(cè)試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì)造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測(cè)片較小或在大片邊緣附近測(cè)量時(shí)，要求計(jì)入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。
3. 采用雙電測(cè)組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測(cè)量度創(chuàng)造了有利條件。

高溫四探針測(cè)試儀采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ǖ膬?yōu)勢(shì)

1. 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ㄟM(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果與探針間距無(wú)關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，因此四探針測(cè)試臺(tái)允許使用不等距探針頭。
2. 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ň哂凶詣?dòng)修正邊界效應(yīng)的功能，對(duì)小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)，不需要對(duì)樣品做幾何測(cè)量，也不需要尋找修正因子。
3. 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)?，不移?dòng)四探針針頭，同時(shí)使用三種模式測(cè)量，既可計(jì)算得到測(cè)試部位的電阻均勻性。