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2020-08-24

一、主要特點:1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進行電弱點的測試,測試寬度可根據(jù)用戶的要求而設定,無須將膜分切成小卷,免除了許多外來因素對測試結果的影響。2、測試數(shù)據(jù)能真實地反映薄膜的質量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍,美信,ABB等),有效地保證了設備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。4、測量,復現(xiàn)性好。5、測試過程采用電子技術全自動控制,遇到電弱點時電壓切斷動作迅速。6、擊穿電流在0~40mA連續(xù)可調,復現(xiàn)性好。7、多重保護功能,充分考慮了操作人員及設備的安全性。8、過壓、過流、...

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2020-08-24

據(jù)標準《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗方法》,電氣用塑料薄膜要求進行電弱點測試,在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(電弱點)數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標,那如何進行測試呢?此時就用到了電弱點測試儀。電氣用塑料薄膜電弱點測試儀,無須將膜卷分切成小卷,根據(jù)薄膜的使用寬度直接進行電弱點測試。由于薄膜在生過程中極易引起縱向劃傷,該儀器*引用“電弱線”概念,即在規(guī)定的時間內檢測到的試樣漏電流均超過1mA時,認定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過程中存在縱向劃痕,從而產(chǎn)生“電弱線”,測試儀統(tǒng)...

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2020-08-21

在光電子學及其它高技術的發(fā)展中,薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應、非線性光學效應、壓電效應和熱釋電效應等多種特性,又具有便于平面化和集成化的特點,因而特別受到人們的重視。現(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機化學氣相淀積和金屬有機熱分解法等。為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能,希望薄膜是...

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2020-08-20

臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料,在68℃附近電阻值發(fā)生突變,在狹小的溫區(qū)內,電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數(shù)量級,具有很大的負溫度系數(shù)。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc,不同的材料其臨界溫度Tc不同,如V2O3的臨界溫度為-100℃,F(xiàn)e304為-150℃,VO2為68℃,Ti305為175℃,V305為140℃。Tc可以通過摻入適當?shù)碾s質提高或降低,如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間,摻入2%的Ge,可使Tc降到120℃左右。在臨界...

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2020-08-20

PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人,在BaTiO3材料中摻入微量元素,如Sb,La,Sm,Gd,Ho等,其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時當溫度超過材料的居里溫度,在幾十度溫度范圍內,其電阻率增大4~10個數(shù)量級,即產(chǎn)生所謂PTC效應。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結構。BaTiO3系半導體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...

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2020-08-19

半導體的導電,主要是由電子和空穴造成的。溫度增加,使電子動能增大,造成晶體中自由電子和空穴數(shù)目增加,因而使電導率升高。通常情況下電導率與溫度的關系為電阻率與溫度的關系為式中,B為與材料有關的常數(shù),表示材料的電導活化能。某些材料的B值很大,它在感受微弱溫度變化時電阻率的變化十分明顯。有一類半導體陶瓷材料,在特定的溫度附近電阻率變化顯著。如“摻雜”的BaTiO3(添加稀土金屬氧化物)在其居里點附近,當發(fā)生相變時電阻率劇增103~106數(shù)量級。利用半導體陶瓷的電阻值對溫度的敏感特性...

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2020-08-18

半導體的能帶結構如圖4.2-23所示,下面是已被價電子占滿的允帶,中間為禁帶,上面是空帶。因此,在外電場作用下不能導電,但是這是零度時的情況。當外界條件發(fā)生變化時,例如溫度升高和有光照射時,滿帶中有少量電子有可能被激發(fā)到上面的空帶中去,在外電場作用下,這些電子將參與導電。同時,滿帶中由于少了一些電子,在滿帶頂部附近出現(xiàn)了一些空的量子狀態(tài),滿帶變成了部分占滿的能帶,在外電場的作用下,仍留在滿帶中的電子也能夠起導電作用。滿帶電子的這種導電作用等效于把這些空的量子狀態(tài)看作帶正電荷的...

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